近年來(lái)，隨著(zhù)汽車(chē)、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來(lái)得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關(guān)注。技術(shù)一直在進(jìn)步，功率MOSFET市場(chǎng)逐漸受到了新技術(shù)的挑戰。例如，業(yè)內有不少公司已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)GaN功率器件，不過(guò)，GaN 對功率MOSFET市場(chǎng)的挑戰還處于非常初期的階段，MOSFET在技術(shù)成熟度、供應量等方面仍然占據明顯的優(yōu)勢，經(jīng)過(guò)三十多年的發(fā)展，MOSFET市場(chǎng) 也不會(huì )輕易被新技術(shù)迅速替代，MOSFET仍會(huì )占據主導的位置。

MOSFET也是眾多剛入行的工程師都會(huì )接觸到的器件，作為電氣系統中的基本部件，工程師如何根據參數做出正確選擇呢？

MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個(gè)MOSFET接地，而負載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOSFET就構成了低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中，應采用N溝道MOSFET,這是出于對關(guān)閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到 總線(xiàn)及負載接地時(shí)，就要用高壓側開(kāi)關(guān)。通常會(huì )在這個(gè)拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動(dòng)的考慮。

例如：在開(kāi)關(guān)電源應用中，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠?jì)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執行開(kāi)關(guān)功能，開(kāi)關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

電壓和電流的選擇。必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS.設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設備（如電機 或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。

對便攜式設計來(lái)說(shuō)，采用較低的電壓比較容易，而對于工業(yè)設計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會(huì )隨著(zhù)電流輕微上升。

最后就是散熱要求了，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個(gè)結果提供更大的安全余量，能 確保系統不會(huì )失效。

MOSFET的應用領(lǐng)域非常廣泛，遠非一兩篇文章可以概括。專(zhuān)業(yè)的產(chǎn)品還得專(zhuān)業(yè)的人來(lái)做，不了解怎么選擇型號的可以咨詢(xún)飛虹哦。

廣州飛虹主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應管、三極管等半導體器件，專(zhuān)注大功率MOS管制造15年，咨詢(xún)熱線(xiàn)： 400-831-6077。