米勒效應是三極管工作中常見(jiàn)的一種作用現象，然而，MOS管中由于門(mén)極和漏極間存在米勒電容，則會(huì )影響整體的開(kāi)啟時(shí)間。

那么問(wèn)題來(lái)了：遇到這種情況，在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)小電容有沒(méi)有效果？在什么情況下才考慮米勒電容？米勒電容影響的時(shí)間怎么計算？就讓專(zhuān)業(yè)半導體廠(chǎng)家告訴你，遇到米勒效應電容時(shí)你應該怎么處理。

半導體廠(chǎng)家——飛虹為您介紹，米勒電容不是個(gè)實(shí)在存在MOSFET中的電容，它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入（即棚源間）的等效電容。由米勒定理可知，這個(gè)等效電容比棚漏間的實(shí)際電容要大許多，隨增益變化，而由該效應所形成的等效電容稱(chēng)為米勒電容。由此可見(jiàn)，在棚源極間并一個(gè)電容無(wú)助于減小米勒電容，反之更會(huì )降低MOSFET的開(kāi)啟速度，增加開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間。

所以，正確的處理方式是在關(guān)斷感性負載時(shí)，MOS管如果驅動(dòng)電路內阻不夠小，可以在MOS的GS間并聯(lián)一個(gè)適當的電容，而不是并聯(lián)一個(gè)越小越好的電容。這樣做可以防止關(guān)斷時(shí)因米勒電容影響出現的漏極電壓塌陷。

至于遇到了MOS管米勒效應電容后如何計算的問(wèn)題，工程師們可以查詢(xún)數據手冊中的Cgd，然后根據具體電路的電壓增益計算。一般情況下，功率MOS管往往給出一定條件下管子開(kāi)通所需要的電量和充電曲線(xiàn)，可以作為驅動(dòng)設計的參考。

綜上所訴，MOS管工程師在進(jìn)行測試的過(guò)程中，一旦遇到米勒效應電容問(wèn)題，首先要依據查詢(xún)數據手冊進(jìn)行計算，在估算出電容數值后選取適當電容進(jìn)行電路系統修改調整。除此之外，依據米勒定理進(jìn)行合理運用，也是能夠幫助工程師讀懂波紋并找出問(wèn)題的關(guān)鍵所在。廣州飛虹，主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應管、三極管等半導體器件，更多關(guān)于半導體資訊和合作，敬請關(guān)注聯(lián)系我們。