服務(wù)熱線(xiàn)
400-831-6077
儲能電源使用的MOS管，8款場(chǎng)效應管詳細參數數據呈現！
文章作者：飛虹電子
瀏覽量：9528
類(lèi)型：行業(yè)資訊
日期：2022-03-17 16:54:18
分享：
儲能電源MOS管使用推薦合集，今天我們就來(lái)細談細談。在社會(huì )的飛速發(fā)展中，戶(hù)外出游無(wú)論在國外還是國內都有越來(lái)越多的自駕愛(ài)好者、戶(hù)外旅行團隊等加入，對便攜式儲能電源的需求自然激增，因此廠(chǎng)家一定要重視產(chǎn)品對MOS管的使用。
畢竟不同類(lèi)型的儲能電源電路設計要使用的MOS管還是有所差異的，因此今天飛虹電子整理了這一份儲能電源可使用的國產(chǎn)MOS管合集，供廣大電子工程師參考。
目前國產(chǎn)MOS管中，可替換多款場(chǎng)效應管產(chǎn)品使用的具體型號為：FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A，以上8款產(chǎn)品都是可以應用于儲能電源中的。
究竟還需要怎么考慮？當然需要結合場(chǎng)效應管的型號參數數據，具體我們來(lái)細看一些以上8款產(chǎn)品的核心型號參數情況：
1、FHP120N7F6A場(chǎng)效應管：
最高漏極－源極直流電壓為70V，在TC=25℃下，其連續漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續漏極電流為80A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態(tài)導通電阻（typ）：VGS=10V則為5.4mΩ；反向傳輸電容：24pF。
2、FHP170N1F4A場(chǎng)效應管：
具體產(chǎn)品參數，具有172A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100%EAS測試，100%Rg測試，100%DVDS熱阻測試，優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。
FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。
3、FHP200N6F3A場(chǎng)效應管：
具體產(chǎn)品參數，具有200A、60V的電流、電壓， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點(diǎn)。
FHP200N6F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。
4、FHP200N4F3A場(chǎng)效應管：
具有200A、40V的電流、電壓， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，儲能電源用mos管100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點(diǎn)。
FHP200N4F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。
5、FHP170N8F3A場(chǎng)效應管：
最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其連續漏極電流為185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續漏極電流為117.2A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態(tài)導通電阻（typ）：VGS=10V則為2.95mΩ；反向傳輸電容：97pF。
6、FHP110N8F5B場(chǎng)效應管：
其產(chǎn)品參數：具有147A電流、85V電壓， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高柵源電壓 @VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，鋰電池用MOS管并擁有極低輸入電容的特點(diǎn)。
FHP110N8F5B的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。
7、FHP100N8F6A場(chǎng)效應管：
100N8F6A場(chǎng)效應管的最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，儲能電源用mos管其連續漏極電流為120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續漏極電流為80A，在TC=125℃下，其連續漏極電流為56A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：320（A）；靜態(tài)導通電阻（typ）：VGS=10V則為5.3mΩ；反向傳輸電容：18pF。
8、FHP60N1F10A場(chǎng)效應管：
FHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具備100% EAS測試，100% Rg測試，儲能電源用mos管100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點(diǎn)。
FHP60N1F10A的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
以上8款產(chǎn)品便是國產(chǎn)MOS管在使用過(guò)程中的核心數據呈現，具體可有儲能電源開(kāi)發(fā)工程師進(jìn)一步選擇使用。畢竟不同的性能以及需求對應要選擇的MOS管還是會(huì )有差異的，詳細參數規格表可登陸“飛虹電子”網(wǎng)址。
飛虹電子是優(yōu)質(zhì)的MOS管研發(fā)團隊，過(guò)程中會(huì )有專(zhuān)業(yè)的產(chǎn)品工程師與廠(chǎng)家共同維護研發(fā)，讓企業(yè)產(chǎn)品能夠得到最優(yōu)的保障。
除參數適合外，飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售，給逆變器廠(chǎng)家提供可持續穩定供貨。至今已經(jīng)有33年半導體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外，更可根據客戶(hù)需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。
直接百度輸入“飛虹電子”即可找到我們，免費試樣熱線(xiàn)：400-831-6077。
熱門(mén)標簽：儲能電源用mos管
