MOS管導通電阻一般用于分壓及盡快泄放攔擊電荷，避免出現全橋短路的情況。而在使用過(guò)程中，高壓MOS管的導通電阻都是決定耗散功率的重要參數，所以應用好MOS管導通作用能夠提升設備效率。今天，為了大家能夠更好的應用MOS管，飛虹MOS管廠(chǎng)家分享一下該怎么降低高壓MOS管的導通電阻。

降低高壓MOS管導通電阻的原理與方法

1.不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻則是總導通電阻的96.5%。

可以推斷耐壓800V的MOS管的導通電阻將幾乎被外延層電阻占據。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規高壓MOS管結構所導致的高導通電阻的根本原因。

2.降低高壓MOS管導通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數載流以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開(kāi)解決。如除導通時(shí)低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無(wú)其他用途。

可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實(shí)現，而在MOS管關(guān)斷時(shí)，mos場(chǎng)效應管設法使這個(gè)通道以某種方式夾斷，使整個(gè)器件耐壓僅取決于低摻雜的N-外延層。內建橫向電場(chǎng)的高壓MOS管的剖面結構及高阻斷電壓低導通電阻的示意圖如圖所示。

當VGS＜VTH時(shí)，由于被電場(chǎng)反型而產(chǎn)生的N型導電溝道不能形成，并且D，S間加正電壓，使MOS管內部PN結反偏形成耗盡層，并將垂直導電的N區耗盡。這個(gè)耗盡層具有縱向高阻斷電壓，如圖（b）所示，mos場(chǎng)效應管這時(shí)器件的耐壓取決于P與N-的耐壓。因此N-的低摻雜、高電阻率是必需的。

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