想必電路設計的設計師在選擇MOS管是都有考慮過(guò)一個(gè)問(wèn)題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠(chǎng)家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價(jià)格來(lái)競爭其他的商家，也需要反復推選。那到底該怎么挑選呢？具有30年經(jīng)驗的MOS管廠(chǎng)家這就為大家分享。

區別一：導通特性

N溝MOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅動(dòng)），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅動(dòng)）。

區別二：MOS開(kāi)關(guān)管損失

不管是N溝MOS還是P溝MOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會(huì )在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。而選擇導通電阻小的MOS管會(huì )減小導通損耗，且現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，也有幾毫歐。除此之外，MOS在導通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的，這是有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流也有一個(gè)上升的過(guò)程。

在這段時(shí)間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越高，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積很大，低壓MOS管廠(chǎng)家造成的損失也就很大，所以縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，減小每次導通時(shí)的損失；降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內的開(kāi)關(guān)次數。

區別三：MOS管使用

P溝MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS管的跨導小于N溝MOS管。此外，P溝MOS管閾值電壓的絕對值偏高，要求有較高的工作電壓。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(cháng)，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在N溝MOS管出現之后，低壓MOS管廠(chǎng)家多數已為NMOS管所取代。只是，因P溝MOS管工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

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