隨著(zhù)電子科技技術(shù)的發(fā)展，MOS管被廣泛應用于各個(gè)領(lǐng)域。對于行業(yè)人士來(lái)說(shuō)，只要接觸電子電路設計，就必然需要接觸MOS管。而在MOS管的使用過(guò)程中，會(huì )出現一種常見(jiàn)的作用現象——米勒效應，它一般會(huì )出現在MOS管的開(kāi)通器件之中。而且，在MOS管中，門(mén)極和漏極間還會(huì )存在米勒電容。

那么，什么是米勒電容呢？米勒電容并非指存在MOS管中的電容，它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入的等效電容。根據米勒定理可以得知，這個(gè)等效電容比棚漏間的實(shí)際電容要大許多，隨增益變化，而由該效應所形成的等效電容稱(chēng)為米勒電容。

當遇到MOS管出現米勒電容，MOS管廠(chǎng)從而影響整體的開(kāi)啟時(shí)間時(shí)，有相關(guān)人士會(huì )考慮在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)小電容。但根據米勒定力，在棚源極間并聯(lián)一個(gè)電容對減小米勒電容于事無(wú)補，反之更會(huì )降低MOSFET的開(kāi)啟速度，增加開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間。

因此，針對這一現象，我們應如何正確地處理呢？根據工程師的經(jīng)驗之談，MOS管廠(chǎng)正確的處理方式是在關(guān)斷感性負載時(shí)，如果驅動(dòng)電路內阻不夠小，可以在MOS的GS間并聯(lián)一個(gè)適當的電容，而不是并聯(lián)一個(gè)越小越好的電容。這樣做可以防止關(guān)斷時(shí)因米勒電容影響出現的漏極電壓塌陷。

而在測試的過(guò)程中，一旦遇到米勒效應電容問(wèn)題，首先要依據查詢(xún)數據手冊進(jìn)行計算，在估算出電容數值后選取適當電容進(jìn)行電路系統修改調整。

廣州飛虹MOS管廠(chǎng)家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應管、三極管等半導體器件，專(zhuān)注大功率MOS管制造15年，咨詢(xún)熱線(xiàn)： 400-831-6077。