mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的

開(kāi)關(guān)三極管（Switch transistor）的外形與普通三極管外形相同，它工作于截止區和飽和區，相當于電路的切斷和導通。由于它具有完成斷路和接通的作用，被廣泛應用于各種開(kāi)關(guān)電路中，如常用的開(kāi)關(guān)電源電路、驅動(dòng)電路、高頻振蕩電路、模數轉換電路、脈沖電路及輸出電路等

在開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)管中常用的是MOS管，那是因為

1、MOS管比三極管來(lái)說(shuō)損耗更低，

2、MOS管為電壓驅動(dòng)型，有電壓就能夠導通

3、MOS管的溫度控制特性（導熱、發(fā)熱）比三極管好

4、MOS管驅需要的動(dòng)率小一個(gè)驅動(dòng)信號可以控制大電源電流，方便。三極管需要需要幾級推動(dòng)電路，將控制電流逐步加大，也就是多級放大，常見(jiàn)的方式是達林頓電路，這樣在設計電路時(shí)就很繁瑣了，調試也費勁。

5、MOS管是電壓控制器件，柵極電流極小，MOS管飽和導通時(shí)產(chǎn)生的壓降低，耗散功率小，效率也更高

6、MOS管開(kāi)關(guān)靜態(tài)時(shí)漏電小，功耗小

而飛虹設計的適配器方案中開(kāi)關(guān)Q采用的是高壓MOS，如2N60、4N60、7N60、8N60、10N60等。其中10N60為N溝道增強型高壓功率MOS場(chǎng)效應管。ID（A）= 10A,BVdss（V）= 600V, RDS(on) = 0.85Ω(max) @VGS = 10 V，低電荷、低反向傳輸電容開(kāi)關(guān)速度快。廣泛適用于A(yíng)C-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動(dòng)。

以上內容為開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管MOS特性針對三極管來(lái)對比的，在眾多開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管應用中，由于MOS特點(diǎn)比較好，因此普遍被應用。更多MOS型號詳細信息可咨詢(xún)飛虹。

廣州飛虹MOS管廠(chǎng)家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應管、三極管等半導體器件，專(zhuān)注大功率MOS管制造15年。咨詢(xún)熱線(xiàn)：400-831-6077。