改動(dòng)柵壓可以改動(dòng)溝道中的電子密度，從而改動(dòng)溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道增強型場(chǎng)效應晶體管。假定N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上恰當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應晶體管。統稱(chēng)為PMOS晶體管。

p溝道mos管工作原理

正常工作時(shí)，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應為負值，以保證兩個(gè)P區與襯底之間的PN結均為反偏，同時(shí)為了在襯底頂表面左近構成導電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應為負。

1、Ｖds≠Ｏ的情況導電溝道構成后，ＤＳ間加負向電壓時(shí)，那么在源極與漏極之間將有漏極電流Ｉd流通，而且Ｉd隨Vds而增加．Ｉd沿溝道產(chǎn)生的壓降使溝道上各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負電荷電場(chǎng)的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄．當Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），溝道在漏極左近呈現預夾斷．

2、Vds=0時(shí)，在柵源之間加負電壓Vgs，由于絕緣層的存在，故沒(méi)有電流，但是金屬柵極被補充電而聚集負電荷，Ｎ型半導體中的多子電子被負電荷排斥向體內運動(dòng)，表面留下帶正電的離子，構成耗盡層，隨著(zhù)Ｇ、Ｓ間負電壓的增加，耗盡層加寬。

當Vgs增大到一定值時(shí)，襯底中的空穴（少子）被柵極中的負電荷吸收到表面，在耗盡層和絕緣層之間構成一個(gè)Ｐ型薄層，稱(chēng)反型層，這個(gè)反型層就構成漏源之間的導電溝道，這時(shí)的Ｖgs稱(chēng)為開(kāi)啟電壓Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，襯底表面感應的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣可以用Vgs的大小控制導電溝道的寬度。

PMOS的Vgs小于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導通，并非相對于地的電壓。但是因為PMOS導通內阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

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