開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能指標。

那么一個(gè)好的MOSFET驅動(dòng)電路又有什么要求呢？

(1)開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí),驅動(dòng)電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩;

(2)開(kāi)關(guān)管導通期間驅動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定使可靠導通;

(3)關(guān)斷瞬間驅動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷;

(4)關(guān)斷期間驅動(dòng)電路最好能提供一定的負電壓避免受到干擾產(chǎn)生誤導通;

(5)另外要求驅動(dòng)電路結構簡(jiǎn)單可靠,損耗小,最好有隔離。

不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而在DS間流過(guò)電流的同時(shí)，兩端還會(huì )有電壓(如2SK3418特性圖所示)，這樣電流就會(huì )在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會(huì )減小導通損耗?，F在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時(shí)候，MOSFET管廠(chǎng)家一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內，MOSFET管廠(chǎng)家MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越快，損失也越大。想要了解詳情，請咨詢(xún)廣州飛虹熱線(xiàn)：400-831-6077。