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改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道增強型場(chǎng)效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應晶體管。統稱(chēng)為PMOS晶體管。
只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
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