場(chǎng)效應管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體管。按照結構、原理可以分為：

接合型場(chǎng)效應管和MOS型場(chǎng)效應管。

N通道接合型場(chǎng)效應管所示，以P型半導體的柵極從兩側夾住N型半導體的結構。將PN接合面上外加反向電壓時(shí)所產(chǎn)生的空乏區域用于電流控制。

N型結晶區域的兩端加上直流電壓時(shí)，電子從源極流向漏極。電子所通過(guò)的通道寬度由從兩側面擴散的P型區域以及加在該區域上的負電壓所決定。

加強負的柵極電壓時(shí)，PN接合部分的空乏區域擴展到通道中，而縮小通道寬度。因此，以柵極電極的電壓可以控制源極-漏極之間的電流。即使柵極電壓為零，也有電流流通，因此用于恒定電流源或因低噪音而用于音頻放大器等。

MOS場(chǎng)效應晶體管在使用時(shí)應注意分類(lèi)，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應注意以下規則：

MOS器件出廠(chǎng)時(shí)通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細銅線(xiàn)把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。

MOS場(chǎng)效應晶體管在使用的時(shí)候也有其注意事項：

1.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。

2.焊接用的電烙鐵必須良好接地。

3.在焊接前應把電路板的電源線(xiàn)與地線(xiàn)短接，再MOS器件焊接完成后在分開(kāi)。

4.MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時(shí)順序相反。

5.電路板在裝機之前，要用接地的線(xiàn)夾子去碰一下機器的各接線(xiàn)端子，再把電路板接上去。

6.MOS場(chǎng)效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時(shí)應注意查證原有的保護二極管是否損壞。

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