MOS管經(jīng)常用于電路的開(kāi)關(guān)控制，通過(guò)改變柵極(gate)的電壓來(lái)使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。但是mos管的柵極不能浮空你知道嗎？今天半導體廠(chǎng)家—廣州飛虹通過(guò)下面的電路圖為大家分析一下為什么不可以浮空的原因～

Vg輸入高時(shí)，N管會(huì )導通，使得P管的柵極為低，P管的DS導通。

一次發(fā)現奇怪的現象，Vg為高阻態(tài)時(shí)，Vout輸入不定，檢查發(fā)現P管的柵極電壓變化不定。仔細檢查發(fā)現R2虛焊，從而導致了N管的柵極浮空，把R2焊好，問(wèn)題解決。

因此，MOS管的柵極不能浮空。P管應該有一個(gè)上拉電阻，對應的，N管應該有一個(gè)下拉電阻。只有這樣，MOS管的整個(gè)運行才會(huì )正常，也不會(huì )帶來(lái)不必要的麻煩。

廣州飛虹半導體主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應管、三極管等半導體器件，專(zhuān)注大功率MOS管制造15年， 咨詢(xún)熱線(xiàn)： 400-831-6077。

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