跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。因此很多人忽視了mos管的驅動(dòng)，今天半導體廠(chǎng)家—廣州飛虹跟大家談?wù)勱P(guān)于mos管驅動(dòng)的那些事。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動(dòng)，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(gè)電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì )比較大。選擇/設計MOS管驅動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驅動(dòng)的NMOS，導通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動(dòng)的MOS管導通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統里，mos管要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達驅動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動(dòng)MOS管。

上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時(shí)當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小?，F在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，mos管但在12V汽車(chē)電子系統里，一般4V導通就夠用了。

值得一提的是，飛虹公司確立了以大功率MOS管產(chǎn)品的研發(fā)、制造方向，專(zhuān)注于該領(lǐng)域制造已達15年，取得了豐碩成果！主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應管、三極管等半導體器件，歡迎咨詢(xún)：400-831-6077。

今天給大家分享的mos管驅動(dòng)知識你看懂了嗎？想要了解關(guān)于mos管等半導體知識，歡迎繼續關(guān)注留意我們哦。