MOS管，它在電路中是常用到的，因而我們對于它的選取是要重視的。正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問(wèn)題，更是很重要的一個(gè)環(huán)節，MOS管選擇不好，有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本,下面有半導體廠(chǎng)家—飛虹為您總結出如何正確選取MOS管的四大法則。

法則之一：用N溝道orP溝道

選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個(gè)MOS管接地，而負載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOS管就構成了低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到總線(xiàn)及負載接地時(shí)，就要用高壓側開(kāi)關(guān)。

法則之二：確定MOS管的額定電流

該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流，MOS管即使在系統產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS管處于穩態(tài)，此時(shí)電流連續通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。

法則之三：選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求

須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個(gè)結果提供更大的安全余量，MOS管能確保系統不會(huì )失效。

法則之四：選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開(kāi)關(guān)性能

影響開(kāi)關(guān)性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì )在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因為在每次開(kāi)關(guān)時(shí)都要對它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，要計算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。

MOS的選擇很重要，關(guān)系到日后整個(gè)電路工作的運行。廣州飛虹主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應管、三極管等半導體器件，更多關(guān)于半導體知識，歡迎繼續關(guān)注我們。